RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2518
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link