RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link