RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link