RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2003
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link