RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link