RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
9.5
Скорость записи, Гб/сек
6.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
1949
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Сравнения RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link