Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Средняя оценка

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 31

Около 13% меньшая задержка

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.5 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 6.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 20.5
Скорость записи, Гб/сек

6.2 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1411 3649

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9905624-023.A00G 8GB

Kingston 9905624-023.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

модули RAM