Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 23.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 61

Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.3 1,670.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,529.3 23.4
Скорость записи, Гб/сек

1,670.4 18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

517 4208

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

Kingston 9905665-023.A00G 4GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

Kingston 9905734-003.A00G 32GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

модули RAM