Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

-->

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.7

Среднее значение в тестах

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 61

Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.3 1,670.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

61 24
Скорость чтения, Гб/сек

3,529.3 15.7
Скорость записи, Гб/сек

1,670.4 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

517 3128

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM