RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
72
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
2,160.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
72
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
1728
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link