RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3772
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link