RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3731
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link