Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Средняя оценка

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 78

Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения

5 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,160.7 10.3

Среднее значение в тестах

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Причины выбрать
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 78
Скорость чтения, Гб/сек

5,987.5 12.1
Скорость записи, Гб/сек

2,160.7 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

957 2113

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

Kingston 9905700-097.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB

модули RAM