RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,160.7
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,987.5
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,160.7
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
957
3447
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link