RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
57
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
12.3
Скорость записи, Гб/сек
5.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
1732
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link