RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
57
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
23
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
3004
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7EFR4C-H9 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link