Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 31

Около 42% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18 17.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 13.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

18 31
Скорость чтения, Гб/сек

17.7 18.0
Скорость записи, Гб/сек

13.1 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2926 3545

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

Kingston KF2933C17S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

модули RAM