RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
6.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1994
2880
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link