RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
2946
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link