RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
38
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3529
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link