RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сравнить
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
6.7
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1632
4084
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link