Kingston 9965516-112.A00LF 16GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Средняя оценка

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Сообщить об ошибке

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 33

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.2 9.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 9.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 26
Скорость чтения, Гб/сек

9.1 13.2
Скорость записи, Гб/сек

9.9 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2279 3068

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM