Kingston 9965516-430.A00G 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 37

Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.1 7.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.1 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 24
Скорость чтения, Гб/сек

7.9 15.1
Скорость записи, Гб/сек

7.0 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1798 3045

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

Kingston 99P5723-006.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

модули RAM