Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 25

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 8.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 23
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.6 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2187 3098

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

Super Talent F24EB8GS 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB

модули RAM