RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2346
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link