RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
3051
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link