Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB против Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 27

Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 13.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 7.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.1 15.5
Скорость записи, Гб/сек

7.7 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2009 2660

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

модули RAM