RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
73
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1917
1843
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link