RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
17.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2301
3075
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C7-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link