RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3187
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link