RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3244
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link