Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 29

Около 7% меньшая задержка

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.6 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 29
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 17.5
Скорость записи, Гб/сек

8.5 16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1756 3754

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

модули RAM