Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 27

Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.0 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 17
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 22.0
Скорость записи, Гб/сек

8.5 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1756 3731

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

модули RAM