RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2809
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link