RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3876
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link