RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
2417
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link