RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1756
3317
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link