RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Kingston HX318C10FK/4 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
4.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
4.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1116
2854
Kingston HX318C10FK/4 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link