RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3208
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link