Kingston K531R8-MIN 4GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston K531R8-MIN 4GB

Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 28

Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.9 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 17
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 20.9
Скорость записи, Гб/сек

9.0 16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2445 3550

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB

модули RAM