RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
97
Около 71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
97
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1270
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link