Kingston KF552C40-16 16GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KF552C40-16 16GB

Причины выбрать
Kingston KF552C40-16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.2 12.2

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.3 15.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

23400 19200

Около 1.22 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KF552C40-16 16GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 30
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 16.3
Скорость записи, Гб/сек

13.2 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 23400

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3343 2761

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM