Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Причины выбрать
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 36

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.3 14.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.5 16.3
Скорость записи, Гб/сек

9.7 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 2930

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

Kingston KGTWW1-MIE 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM