RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
10.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2751
3648
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link