RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сравнить
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
58
Около 40% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
58
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
10.7
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2726
2591
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Сравнения RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link