RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
73
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3084
1843
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link