Kingston KVR533D2N4 512MB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

75 83

Около 10% меньшая задержка

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 1,672.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 4200

Около 4.57 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 83
Скорость чтения, Гб/сек

1,943.5 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,672.1 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 19200

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

301 1663

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

Kingston 9965662-002.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM