RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
50
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,905.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,143.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,905.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
855
3051
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link