Kingston KVR800D2N6/2G 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 15.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 50

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.1 1,905.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

50 36
Скорость чтения, Гб/сек

5,143.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,905.1 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

855 2800

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM