RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2353
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link